Name: S3M0012120D
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S3M0012120D-ND
Price: 20.7273 EUR
Availability: InStock

S3M0012120D
N.º de producto de DigiKey	1655-S3M0012120D-ND
Fabricante	SMC Diode Solutions
Número de pieza del fabricante	S3M0012120D
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET, 12MOHM,1
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 155A (Tc) 937W (Tc) TO-247AD
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	SMC Diode Solutions
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	155A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16mOhm a 100A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 40mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	347 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+18V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6358 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	937W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AD
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3

Precio unitario sin IVA:	17,13000 €
Precio unitario con IVA:	20,72730 €

S3M0012120D