Name: IMW120R007M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R007M1HXKSA1-ND
Price: 61.5648 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 1200 V 225H (Tc) 750W (Tc) PG-TO247-3

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IMW120R007M1HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMW120R007M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMW120R007M1HXKSA1
Descripción	SIC DISCRETE
Plazo estándar del fabricante	54 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 225H (Tc) 750W (Tc) PG-TO247-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMW120R007M1HXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.9mOhm a 108A, 18V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.2V a 47mA
Serie CoolSiC™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 289 nC @ 18 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +20V, -5V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9170 pF @ 800 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 750W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 225H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	50,88000 €	50,88 €
30	34,48833 €	1.034,65 €
120	30,91375 €	3.709,65 €

Paquete estándar del fabricante

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