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Canal N Orificio pasante 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) TO-220AB
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2120AFC

N.º de producto de DigiKey
SCT2120AFC-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
SCT2120AFC
Descripción
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos
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Atributos del producto
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Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 3.3mA
Fabricante
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
61 nC @ 18 V
Embalaje
Tubo
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Estado de pieza
Obsoleto
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1200 pF @ 500 V
Tipo FET
Disipación de potencia (Máx.)
165W (Tc)
Tecnología
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Tipo de montaje
Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Paquete / Caja (carcasa)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
156mOhm a 10A, 18V
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Sustitutos (20)
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Obsoleto
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