Name: TK17E65W,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK17E65WS1X-ND
Price: 4.9973 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 17.3A (Ta) 165W (Tc) TO-220

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TK17E65W,S1X
N.º de producto de DigiKey	TK17E65WS1X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK17E65W,S1X
Descripción	MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 17.3A (Ta) 165W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK17E65W,S1X Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	17.3A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	200mOhm a 8.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 900µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1800 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	TK17E65

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	4,13000 €	4,13 €
50	2,14020 €	107,01 €
100	1,94820 €	194,82 €
500	1,61182 €	805,91 €
1.000	1,54926 €	1.549,26 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.