Name: RSJ650N10TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSJ650N10TLTR-ND
Price: 8.2764 EUR
Availability: InStock

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RSJ650N10TL
N.º de producto de DigiKey	RSJ650N10TLTR-ND - Cinta y rollo (TR) RSJ650N10TLCT-ND - Cinta cortada (CT) RSJ650N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RSJ650N10TL
Descripción	MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 65A (Ta) 100W (Tc) LPTS
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RSJ650N10TL Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 260 nC @ 10 V
Fabricante Rohm Semiconductor	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10780 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 100W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 65A (Ta)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor LPTS
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.1mOhm a 32.5A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA	Número de producto base RSJ650

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (4)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IXFA130N10T2	IXYS	983	238-IXFA130N10T2-ND	32,64000 €	Similar
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