Name: BSM400C12P3G202
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM400C12P3G202-ND
Price: 998.4315 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje de chasis 1200 V 400A (Tc) 1570W (Tc) Módulo

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BSM400C12P3G202
N.º de producto de DigiKey	BSM400C12P3G202-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	BSM400C12P3G202
Descripción	SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje de chasis 1200 V 400A (Tc) 1570W (Tc) Módulo
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSM400C12P3G202 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Bandeja
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	400A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	-
Rds On (máx) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 106.8mA
Vgs (máx.)	+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	17000 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1570W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor	Módulo
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo
Número de producto base	BSM400

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