Name: BSM600C12P3G201
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM600C12P3G201-ND
Price: 1234.0548 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N Montaje de chasis 1200 V 600A (Tc) 2460W (Tc) Módulo

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BSM600C12P3G201
N.º de producto de DigiKey	BSM600C12P3G201-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	BSM600C12P3G201
Descripción	SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje de chasis 1200 V 600A (Tc) 2460W (Tc) Módulo
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSM600C12P3G201 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs (máx.) +22V, -4V
Fabricante Rohm Semiconductor	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 28000 pF @ 10 V
Embalaje Bandeja	Disipación de potencia (Máx.) 2460W (Tc)
Estado de pieza No para diseños nuevos	Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Tipo de montaje Montaje de chasis
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Paquete del dispositivo del proveedor Módulo
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Paquete / Caja (carcasa) Módulo
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 600A (Tc)	Número de producto base BSM600
Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 182mA

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