Name: RBE029N10R1SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND
Price: 3.1823 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

Canal N Montaje en superficie 100 V 160H (Tc) 165W (Tc) 8-DFN (4.9x5.75)

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

RBE029N10R1SZN6#HB0
N.º de producto de DigiKey	559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND - Cinta y rollo (TR) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND - Cinta cortada (CT) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	RBE029N10R1SZN6#HB0
Descripción	MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 160H (Tc) 165W (Tc) 8-DFN (4.9x5.75)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 109µA
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 91 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6500 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 165W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 160H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFN (4.9x5.75)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.9mOhm a 80A, 10V