Name: RBE015N10R1SZQ4#GB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE015N10R1SZQ4#GB0TR-ND
Price: 5.6507 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

Canal N Montaje en superficie 100 V 340H (Tc) 468W (Tc) Peaje

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RBE015N10R1SZQ4#GB0
N.º de producto de DigiKey	559-RBE015N10R1SZQ4#GB0TR-ND - Cinta y rollo (TR) 559-RBE015N10R1SZQ4#GB0CT-ND - Cinta cortada (CT) 559-RBE015N10R1SZQ4#GB0DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	RBE015N10R1SZQ4#GB0
Descripción	MOSFET N-CH 100V 340A TOLL
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 340H (Tc) 468W (Tc) Peaje
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 170 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13000 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 468W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 340H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor Peaje
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.5mOhm a 100A, 10V