Name: RBA160N10EANS-4UA03#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBA160N10EANS-4UA03#HB0TR-ND
Price: 3.2428 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

Canal N Montaje en superficie 100 V 160H (Tc) 165W (Tc) 8-DFN (4.9x5.75)

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RBA160N10EANS-4UA03#HB0
N.º de producto de DigiKey	559-RBA160N10EANS-4UA03#HB0TR-ND - Cinta y rollo (TR) 559-RBA160N10EANS-4UA03#HB0CT-ND - Cinta cortada (CT) 559-RBA160N10EANS-4UA03#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	RBA160N10EANS-4UA03#HB0
Descripción	MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 160H (Tc) 165W (Tc) 8-DFN (4.9x5.75)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 91 nC @ 10 V
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6500 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 165W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 160H (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFN (4.9x5.75)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.9mOhm a 80A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 109µA