Name: NVMTSC1D3N08M7TXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTSC1D3N08M7TXGTR-ND
Price: 6.171 EUR
Availability: InStock

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NVMTSC1D3N08M7TXG
N.º de producto de DigiKey	488-NVMTSC1D3N08M7TXGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVMTSC1D3N08M7TXGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVMTSC1D3N08M7TXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMTSC1D3N08M7TXG
Descripción	MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 46A (Ta), 348A (Tc) 5.1W (Ta), 287W (Tc) 8-DFNW (8.3x8.4)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	46A (Ta), 348A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.25mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	196 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	14530 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5.1W (Ta), 287W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFNW (8.3x8.4)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	NVMTSC1