Name: NVMFWS2D1N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS2D1N08XT1GTR-ND
Price: 3.751 EUR
Availability: InStock

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NVMFWS2D1N08XT1G
N.º de producto de DigiKey	488-NVMFWS2D1N08XT1GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVMFWS2D1N08XT1GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVMFWS2D1N08XT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMFWS2D1N08XT1G
Descripción	T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 80 V 181A (Tc) 148W (Tc) 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 53 nC @ 6 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3800 pF @ 40 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 148W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 181A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie, lateral humedecible
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.1mOhm a 43A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN, 5 conductores
Vgs(th) (máx) a Id 3.6V a 213µA	Número de producto base NVMFWS