Name: NVMJS2D5N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMJS2D5N06CLTWGOSTR-ND
Price: 2.5531 EUR
Availability: InStock

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NVMJS2D5N06CLTWG
N.º de producto de DigiKey	NVMJS2D5N06CLTWGOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVMJS2D5N06CLTWGOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVMJS2D5N06CLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMJS2D5N06CLTWG
Descripción	MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 31A (Ta), 164A (Tc) 3.9W (Ta), 113W (Tc) 8-LFPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVMJS2D5N06CLTWG Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	31A (Ta), 164A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.4mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 135µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3600 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.9W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-LFPAK
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-1205, 8-LFPAK56
Número de producto base	NVMJS2