Name: NVMTS0D7N06CTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS0D7N06CTXGTR-ND
Price: 11.737 EUR
Availability: InStock

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NVMTS0D7N06CTXG
N.º de producto de DigiKey	488-NVMTS0D7N06CTXGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVMTS0D7N06CTXGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVMTS0D7N06CTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMTS0D7N06CTXG
Descripción	MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 60.5A (Ta), 464A (Tc) 5W (Ta), 294.6W (Tc) 8-DFNW (8.3x8.4)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	60.5A (Ta), 464A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.72mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	152 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	11535 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 294.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFNW (8.3x8.4)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	NVMTS0