Name: NVMFS2D3P04M8LT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR-ND
Price: 3.9567 EUR
Availability: InStock

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NVMFS2D3P04M8LT1G
N.º de producto de DigiKey	488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVMFS2D3P04M8LT1GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVMFS2D3P04M8LT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMFS2D3P04M8LT1G
Descripción	MV8 P INITIAL PROGRAM
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVMFS2D3P04M8LT1G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	31A (Ta), 222A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.2mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 2.7mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	157 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5985 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 205W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN, 5 conductores