Name: NTTFS3D7N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS3D7N06HLTWGTR-ND
Price: 3.0129 EUR
Availability: InStock

NTTFS3D7N06HLTWG
N.º de producto de DigiKey	488-NTTFS3D7N06HLTWGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTTFS3D7N06HLTWGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTTFS3D7N06HLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTTFS3D7N06HLTWG
Descripción	MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	43 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 16A (Ta), 103A (Tc) 2.2W (Ta), 83W (Tc) 8-PQFN (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16A (Ta), 103A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.9mOhm a 23A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 120µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	32.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2383 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.2W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Número de producto base	NTTFS3

Precio unitario sin IVA:	2,49000 €
Precio unitario con IVA:	3,01290 €

NTTFS3D7N06HLTWG