Name: RQ3L070ATTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3L070ATTBTR-ND
Price: 2.2264 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

RQ3L070ATTB
N.º de producto de DigiKey	846-RQ3L070ATTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RQ3L070ATTBCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RQ3L070ATTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ3L070ATTB
Descripción	PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 25H (Tc) 2W (Ta) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RQ3L070ATTB Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2850 pF @ 30 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 25H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSMT (3.2x3)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 28mOhm a 7A, 10V	Número de producto base RQ3L070