Name: NTTFS015P03P8ZTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS015P03P8ZTWGTR-ND
Price: 1.2947 EUR
Availability: InStock

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NTTFS015P03P8ZTWG
N.º de producto de DigiKey	488-NTTFS015P03P8ZTWGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTTFS015P03P8ZTWGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTTFS015P03P8ZTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTTFS015P03P8ZTWG
Descripción	MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 13.4A (Ta), 47.6A (Tc) 2.66W (Ta), 33.8W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTTFS015P03P8ZTWG Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 62.3 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±25V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2706 pF @ 15 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.3mOhm a 12A, 10V	Número de producto base NTTFS0