Name: NTMS4177PR2G
Brand: onsemi
SKU: NTMS4177PR2GTR-ND
Price: 1.7666 EUR
Availability: InStock

NTMS4177PR2G
N.º de producto de DigiKey	NTMS4177PR2GTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTMS4177PR2GCT-ND - Cinta cortada (CT) NTMS4177PR2GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMS4177PR2G
Descripción	MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	9 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 6.6 A (Ta) 840mW (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMS4177PR2G Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12mOhm a 11.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3100 pF @ 24 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	840mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	NTMS41

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2.500	0,37096 €	927,40 €
5.000	0,34445 €	1.722,25 €

Precio unitario sin IVA:	1,46000 €
Precio unitario con IVA:	1,76660 €

NTMS4177PR2G