Name: NTMFS6H800NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS6H800NLT1GTR-ND
Price: 4.3076 EUR
Availability: OutOfStock

NTMFS6H800NLT1G está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Equivalente paramétrico

onsemi

En stock: 0

Precio por unidad : 5,23000 €

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

NTMFS6H800NLT1G
N.º de producto de DigiKey	488-NTMFS6H800NLT1GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMFS6H800NLT1GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMFS6H800NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMFS6H800NLT1G
Descripción	MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 30H (Ta), 224H (Tc) 3.9W (Ta), 214W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMFS6H800NLT1G Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 330µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 112 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6900 pF @ 40 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30H (Ta), 224H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN, 5 conductores
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.9mOhm a 50A, 10V	Número de producto base NTMFS6