


NTH4L030N120M3S | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 5556-NTH4L030N120M3S-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NTH4L030N120M3S |
Descripción | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL |
Plazo estándar del fabricante | 18 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 73A (Tc) 313W (Tc) TO-247-4L |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 18V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 39mOhm a 30A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.4V a 15mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 107 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +22V, -10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2430 pF @ 800 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 313W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-4L | |
Paquete / Caja (carcasa) |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 11,48000 € | 11,48 € |
| 30 | 6,95933 € | 208,78 € |
| 120 | 5,96900 € | 716,28 € |
| 510 | 5,76337 € | 2.939,32 € |
| Precio unitario sin IVA: | 11,48000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 13,89080 € |


