MTB50P03HDLT4G onsemi | FET simple, MOSFET

MTB50P03HDLT4G es obsoleto y ya no se fabrica.

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MTB50P03HDLT4G
N.º de producto de DigiKey	MTB50P03HDLT4GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) MTB50P03HDLT4GOSCT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	MTB50P03HDLT4G
Descripción	MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 50H (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100 nC @ 5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Vgs (máx.) ±15V
Estado de pieza Obsoleto	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4900 pF @ 25 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 50H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 25mOhm a 25A, 5V	Número de producto base MTB50

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Sustitutos (4)

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