Name: IRF5210STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5210STRLPBFTR-ND
Price: 3.9567 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IRF5210STRLPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF5210STRLPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF5210STRLPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF5210STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF5210STRLPBF
Descripción	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF5210STRLPBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	38A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	60mOhm a 38A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2780 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.1W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IRF5210