FQP33N10 onsemi | Productos de semiconductores discretos

FQP33N10
N.º de producto de DigiKey	FQP33N10-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQP33N10
Descripción	MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 33A (Tc) 127W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	33A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	52mOhm a 16.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1500 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	127W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	FQP33