Name: FQB34N20LTM
Brand: onsemi
SKU: FQB34N20LTMTR-ND
Price: 5.0094 EUR
Availability: InStock

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FQB34N20LTM
N.º de producto de DigiKey	FQB34N20LTMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQB34N20LTMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQB34N20LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQB34N20LTM
Descripción	MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 31A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FQB34N20LTM Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72 nC @ 5 V
Serie QFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3900 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 31A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V, 10V	Número de producto base FQB34N20
Rds On (máx) @ Id, Vgs 75mOhm a 15.5A, 10V