Name: FQB34N20LTM
Brand: onsemi
SKU: FQB34N20LTMTR-ND
Price: 4.7553 EUR
Availability: InStock

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FQB34N20LTM
N.º de producto de DigiKey	FQB34N20LTMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQB34N20LTMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQB34N20LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQB34N20LTM
Descripción	MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 31A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FQB34N20LTM Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	31A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	75mOhm a 15.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	72 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3900 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.13W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FQB34N20