Name: FQB12P20TM
Brand: onsemi
SKU: FQB12P20TMTR-ND
Price: 3.0492 EUR
Availability: InStock

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FQB12P20TM
N.º de producto de DigiKey	FQB12P20TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQB12P20TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQB12P20TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQB12P20TM
Descripción	MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 200 V 11.5A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FQB12P20TM Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1200 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11.5A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base FQB12P20
Rds On (máx) @ Id, Vgs 470mOhm a 5.75A, 10V