Name: FDN352AP
Brand: onsemi
SKU: FDN352APTR-ND
Price: 0.7865 EUR
Availability: InStock

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FDN352AP
N.º de producto de DigiKey	FDN352APTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDN352APCT-ND - Cinta cortada (CT) FDN352APDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDN352AP
Descripción	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDN352AP Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.9 nC @ 4.5 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±25V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 150 pF @ 15 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 500mW (Ta)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.3A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base FDN352
Rds On (máx) @ Id, Vgs 180mOhm a 1.3A, 10V