FDB120N10 onsemi | FET simple, MOSFET

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FDB120N10
N.º de producto de DigiKey	FDB120N10TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB120N10CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB120N10
Descripción	MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 74A (Tc) 170W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5605 pF @ 25 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 170W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 74A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base FDB120
Rds On (máx) @ Id, Vgs 12mOhm a 74A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (7)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IPB144N12N3GATMA1	Infineon Technologies	150	IPB144N12N3GATMA1CT-ND	2,80000 €	Similar
IRFS4510TRLPBF	Infineon Technologies	1.600	448-IRFS4510TRLPBFTR-ND	0,93033 €	Similar
PHB27NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	4.804	1727-4763-1-ND	1,89000 €	Similar
PHB45NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	658	1727-4766-1-ND	2,38000 €	Similar
PSMN013-100BS,118	Nexperia USA Inc.	174	1727-7104-1-ND	2,30000 €	Similar

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Cinta cortada (CT)

Precio unitario sin IVA:	2,73000 €
Precio unitario con IVA:	3,30330 €

FDB120N10