IPB144N12N3GATMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IPB144N12N3GATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB144N12N3GATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB144N12N3GATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPB144N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB144N12N3GATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 120 V 56A (Ta) 107W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB144N12N3GATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	120 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	56A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	14.4mOhm a 56A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 61µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3220 pF @ 60 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB144

Precio unitario sin IVA:	2,63000 €
Precio unitario con IVA:	3,18230 €

IPB144N12N3GATMA1