Name: FCMT125N65S3
Brand: onsemi
SKU: FCMT125N65S3OSTR-ND
Price: 7.1511 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

FCMT125N65S3
N.º de producto de DigiKey	FCMT125N65S3OSTR-ND - Cinta y rollo (TR) FCMT125N65S3OSCT-ND - Cinta cortada (CT) FCMT125N65S3OSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FCMT125N65S3
Descripción	MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Plazo estándar del fabricante	9 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) 4-PQFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FCMT125N65S3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	SuperFET® III
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	24A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	125mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 590µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1920 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	181W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	4-PQFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	4-PowerTSFN
Número de producto base	FCMT125