FCA36N60NF onsemi | Productos de semiconductores discretos

FCA36N60NF es obsoleto y ya no se fabrica.

Reemplazos disponibles:

MFR recomendado

onsemi

En stock: 690

Precio por unidad : 7,47000 €

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

En stock: 0

Precio por unidad : 8,44000 €

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

En stock: 24

Precio por unidad : 8,69000 €

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

FCA36N60NF
N.º de producto de DigiKey	488-FCA36N60NF-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FCA36N60NF
Descripción	MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 34.9A (Tc) 312W (Tc) TO-3PN
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FCA36N60NF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	FRFET®, SupreMOS®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	34.9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	95mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	112 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4245 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	312W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa)	TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base	FCA36N60