Name: TK31J60W5,S1VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31J60W5S1VQ-ND
Price: 10.5149 EUR
Availability: InStock

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TK31J60W5,S1VQ
N.º de producto de DigiKey	TK31J60W5S1VQ-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK31J60W5,S1VQ
Descripción	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) TO-3P(N)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK31J60W5,S1VQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30.8A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	88mOhm a 15.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.7V a 1.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3000 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3P(N)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base	TK31J60

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	8,69000 €	8,69 €
25	5,27920 €	131,98 €
100	4,46800 €	446,80 €
500	4,16842 €	2.084,21 €

Paquete estándar del fabricante

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