Name: GAN3R2-100CBEAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND
Price: 6.3283 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

GAN3R2-100CBEAZ
N.º de producto de DigiKey	1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-GAN3R2-100CBEAZCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-GAN3R2-100CBEAZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	GAN3R2-100CBEAZ
Descripción	100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 60A 394W 8-WLCSP (3.5x2.13)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	GAN3R2-100CBEAZ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	60A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.2mOhm a 25A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 9mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1000 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	394W
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-WLCSP (3.5x2.13)
Paquete / Caja (carcasa)	8-XFBGA, WLCSP
Número de producto base	GAN3R2