Name: G3R350MT12J
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R350MT12J-ND
Price: 3.77929 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N Montaje en superficie 1200 V 11A (Tc) 75W (Tc) TO-263-7

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G3R350MT12J
N.º de producto de DigiKey	1913-G3R350MT12J-ND
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de pieza del fabricante	G3R350MT12J
Descripción	SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 11A (Tc) 75W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	G3R350MT12J Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.69V a 2mA
Fabricante Navitas Semiconductor, Inc.	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC @ 15 V
Serie G3R™	Vgs (máx.) ±15V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 334 pF @ 800 V
Estado de pieza Última compra	Disipación de potencia (Máx.) 75W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263-7
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V	Número de producto base G3R350
Rds On (máx) @ Id, Vgs 420mOhm a 4A, 15V

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