Name: G3R350MT12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R350MT12J-TR-ND
Price: 9.2807 EUR
Availability: OutOfStock

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G3R350MT12J-TR
N.º de producto de DigiKey	1913-G3R350MT12J-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1913-G3R350MT12J-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1913-G3R350MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de pieza del fabricante	G3R350MT12J-TR
Descripción	1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 10A (Tc) 64W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 395mOhm a 4A, 18V
Fabricante Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (máx) a Id 2.7V a 2mA
Serie G3R™, LoRing™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10 nC @ 15 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +22V, -10V
Estado de pieza Última compra	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 331 pF @ 800 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 64W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 10A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263-7
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA