


IXSJ80N120R1K | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 238-IXSJ80N120R1K-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXSJ80N120R1K |
Descripción | 1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET |
Plazo estándar del fabricante | 35 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 85H (Tc) 223.2W (Tc) ISO247-4L |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.8V a 22.2mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 155 nC @ 18 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) +21V, -4V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4556 pF @ 800 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 223.2W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor ISO247-4L |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 23.4mOhm a 40A, 18V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 29,87000 € | 29,87 € |
| 30 | 19,59700 € | 587,91 € |
| 120 | 17,95533 € | 2.154,64 € |
| Precio unitario sin IVA: | 29,87000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 36,14270 € |


