Name: IXSJ43N120R1K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ43N120R1K-ND
Price: 19.2874 EUR
Availability: InStock

IXSJ43N120R1K
N.º de producto de DigiKey	238-IXSJ43N120R1K-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXSJ43N120R1K
Descripción	1200V 36M (43A @ 25C) SIC MOSFET
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 46A (Tc) 143.7W (Tc) ISO247-4L
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	46A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	47mOhm a 20A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.8V a 11.1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	79 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+21V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2343 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	143.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	ISO247-4L
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

Precio unitario sin IVA:	15,94000 €
Precio unitario con IVA:	19,28740 €

IXSJ43N120R1K