


IXSA110N65L2-7TR | |
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N.º de producto de DigiKey | 238-IXSA110N65L2-7TR-ND - Cinta y rollo (TR) 238-IXSA110N65L2-7TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 238-IXSA110N65L2-7TRDKR-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXSA110N65L2-7TR |
Descripción | 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET |
Plazo estándar del fabricante | 27 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 111A (Tc) 600W (Tc) TO-263-7 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) - | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 15V, 18V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 33mOhm a 40A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.5V a 12mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 125 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +20V, -5V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3090 pF @ 600 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 600W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263-7 | |
Paquete / Caja (carcasa) |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 9,34000 € | 9,34 € |
10 | 6,46100 € | 64,61 € |
100 | 5,40360 € | 540,36 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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800 | 4,41471 € | 3.531,77 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 9,34000 € | 9,34 € |
10 | 6,46100 € | 64,61 € |
100 | 5,40360 € | 540,36 € |
Precio unitario sin IVA: | 9,34000 € |
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Precio unitario con IVA: | 11,30140 € |