Name: IMW120R040M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R040M1HXKSA1-ND
Price: 14.1207 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N Orificio pasante 1200 V 55A (Tc) 227W (Tc) PG-TO247-3

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IMW120R040M1HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMW120R040M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMW120R040M1HXKSA1
Descripción	SIC DISCRETE
Plazo estándar del fabricante	39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 55A (Tc) 227W (Tc) PG-TO247-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMW120R040M1HXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 54.4mOhm a 19.3A, 18V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.2V a 10mA
Serie CoolSiC™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 51 nC @ 18 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +20V, -5V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1620 pF @ 800 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 227W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 55A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	11,67000 €	11,67 €
30	7,05033 €	211,51 €
120	6,03883 €	724,66 €
510	5,41547 €	2.761,89 €

Paquete estándar del fabricante

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