Name: IPG20N10S4L22AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L22AATMA1TR-ND
Price: 2.4926 EUR
Availability: InStock

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IPG20N10S4L22AATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPG20N10S4L22AATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPG20N10S4L22AATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPG20N10S4L22AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPG20N10S4L22AATMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 100V 20A 60W Montaje en superficie, lateral humedecible PG-TDSON-8-10
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPG20N10S4L22AATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	22mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.1V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	27nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1755pF a 25V
Potencia - Máx.	60W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-10
Número de producto base	IPG20N