Name: SQJ974EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ974EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.1538 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SQJ974EP-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQJ974EP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJ974EP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJ974EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ974EP-T1_GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 100V 30A (Tc) 48W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQJ974EP-T1_GE3 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC a 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1050pF a 25V
Serie TrenchFET®	Potencia - Máx. 48W
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Estado de pieza Activo	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Configuración Dos canal N (doble)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (máx) @ Id, Vgs 25.5mOhm a 10A, 10V	Número de producto base SQJ974
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA