Name: IPD60R1K5CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
Price: 0.9922 EUR
Availability: InStock

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IPD60R1K5CEAUMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD60R1K5CEAUMA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 5A (Tc) 49W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD60R1K5CEAUMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 90µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.4 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CE	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 200 pF @ 100 V
Estado de pieza No para diseños nuevos	Disipación de potencia (Máx.) 49W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPD60R
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.5Ohm a 1.1A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
AOD7N65	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	7.818	785-1484-1-ND	1,61000 €	Similar
FCD850N80Z	onsemi	17.987	488-FCD850N80ZCT-ND	3,03000 €	Similar

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