Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 2.2506 EUR
Availability: InStock

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IPD60N10S4L12ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD60N10S4L12ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) PG-TO252-3-313
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD60N10S4L12ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 49 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±16V
Serie HEXFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3170 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 94W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 60A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3-313
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 12mOhm a 60A, 10V	Número de producto base IPD60N10
Vgs(th) (máx) a Id 2.1V a 46µA