Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 2.1417 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IPD60N10S4L12ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD60N10S4L12ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Plazo estándar del fabricante	9 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) PG-TO252-3-313
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD60N10S4L12ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	60A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.1V a 46µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3170 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-313
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IPD60N10