Name: IMTA65R075M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R075M2HXTMA1-ND
Price: 6.7518 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

Canal N Montaje en superficie 650 V 30H (Tc) 141W (Tc) PG-LHSOF-4-1

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IMTA65R075M2HXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMTA65R075M2HXTMA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMTA65R075M2HXTMA1
Descripción	IMTA65R075M2HXTMA1
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 30H (Tc) 141W (Tc) PG-LHSOF-4-1
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 68mOhm a 11.9A, 20V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 2.4mA
Serie CoolSiC™ G2	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14.9 nC @ 18 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +23V, -7V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 516 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 141W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-LHSOF-4-1
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 20V	Paquete / Caja (carcasa) 4-PowerLSFN

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	5,58000 €	5,58 €
10	3,70900 €	37,09 €
100	2,65090 €	265,09 €
500	2,19954 €	1.099,77 €
1.000	2,05462 €	2.054,62 €
2.000	1,93285 €	3.865,70 €

Paquete estándar del fabricante

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