Name: IMT65R075M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Price: 6.1952 EUR
Availability: OutOfStock

IMT65R075M2HXUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMT65R075M2HXUMA1
Descripción	SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 33.7A (Tc) 178W (Tc) PG-HSOF-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	33.7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	95mOhm a 11.9A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 2.4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14.9 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	516 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	178W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN
Número de producto base	IMT65R075

Precio unitario sin IVA:	5,12000 €
Precio unitario con IVA:	6,19520 €

IMT65R075M2HXUMA1