Name: IMTA65R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 13.4794 EUR
Availability: InStock

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IMTA65R020M2HXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMTA65R020M2HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMTA65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMTA65R020M2HXTMA1
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N 650 V 77A (Tc) 416W (Tc)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMTA65R020M2HXTMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 20V
Fabricante Infineon Technologies	Rds On (máx) @ Id, Vgs 18mOhm a 46.9A, 20V
Serie CoolSiC™	Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 9.5mA
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 57 nC @ 18 V
Estado de pieza Activo	Vgs (máx.) +23V, -7V
Tipo FET Canal N	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2038 pF @ 400 V
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Disipación de potencia (Máx.) 416W (Tc)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 77A (Tc)