
IMTA65R020M2HXTMA1 | |
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N.º de producto de DigiKey | 448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMTA65R020M2HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMTA65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMTA65R020M2HXTMA1 |
Descripción | SILICON CARBIDE MOSFET |
Plazo estándar del fabricante | 23 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N 650 V 77A (Tc) 416W (Tc) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IMTA65R020M2HXTMA1 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 15V, 20V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 18mOhm a 46.9A, 20V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.6V a 9.5mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 57 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +23V, -7V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2038 pF @ 400 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 416W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | - | |
Paquete del dispositivo del proveedor | - | |
Paquete / Caja (carcasa) | - |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 10,87000 € | 10,87 € |
10 | 8,74300 € | 87,43 € |
100 | 7,76930 € | 776,93 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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2.000 | 6,31118 € | 12.622,36 € |
Precio unitario sin IVA: | 10,87000 € |
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Precio unitario con IVA: | 13,15270 € |