Name: IMT65R010M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R010M2HXUMA1TR-ND
Price: 25.7488 EUR
Availability: InStock

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IMT65R010M2HXUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMT65R010M2HXUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMT65R010M2HXUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMT65R010M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMT65R010M2HXUMA1
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 168H (Tc) 681W (Tc) PG-HSOF-8-2
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.1mOhm a 92.1A, 20V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 18.7mA
Serie CoolSiC™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 113 nC @ 18 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +23V, -7V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4001 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 681W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 168H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-2
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 20V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN