Name: IMBG65R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 30.008 EUR
Availability: InStock

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IMBG65R007M2HXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMBG65R007M2HXTMA1
Descripción	SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) PG-TO263-7-12
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMBG65R007M2HXTMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 2.97mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 179 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™ Gen 2	Vgs (máx.) +23V, -7V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6359 pF @ 400 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 789W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7-12
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 238A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 20V	Número de producto base IMBG65R007
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.5mOhm a 146.3A, 18V