Name: IMSQ120R012M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R012M2HHXUMA1TR-ND
Price: 44.5401 EUR
Availability: InStock

MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 121H (Tc) 758W (Tc) Montaje en superficie PG-HDSOP-16-221

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IMSQ120R012M2HHXUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMSQ120R012M2HHXUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMSQ120R012M2HHXUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMSQ120R012M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMSQ120R012M2HHXUMA1
Descripción	SICFET 2N-CH 1200V 121A HDSOP16
Plazo estándar del fabricante	49 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 121H (Tc) 758W (Tc) Montaje en superficie PG-HDSOP-16-221
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 12mOhm a 57A, 18V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.1V a 17.8mA
Serie CoolSiC™ G2	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 109nC a 0V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4050pF a 800V
Estado de pieza Activo	Potencia - Máx. 758W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuración 2 canales N (medio puente)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)	Paquete / Caja (carcasa) 24-BSOP (0.606", 15.40mm de ancho), 16 conductores, placa descubierta
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 121H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HDSOP-16-221