Name: IMCQ120R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 36.4089 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N Montaje en superficie 1200 V 195H (Tc) 880W (Tc) PG-HDSOP-22

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IMCQ120R010M2HXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMCQ120R010M2HXTMA1
Descripción	SICFET N-CH 1200V 195A 22PWRBSOP
Plazo estándar del fabricante	54 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 195H (Tc) 880W (Tc) PG-HDSOP-22
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMCQ120R010M2HXTMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 10mOhm a 69A, 18V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.1V a 21.7mA
Serie CoolSiC™ G2	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 150.1 nC @ 18 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +23V, -7V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6320 pF @ 800 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 880W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 195H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HDSOP-22
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V	Paquete / Caja (carcasa) Módulo 22-PowerBSOP